市场对人工智能的热情还在持续升温，随着芯片库存调整卓有成效，以及市场需求回暖推动，全球存储芯片价格正从去年的暴跌中逐步回升，内闪存产品价格均开始涨价。TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，由于AI需求高涨，目前英伟达（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供应紧俏，除了CoWoS是供应瓶颈，HBM亦同，主要是HBM生产周期较DDR5更长，投片到产出与封装完成需要两个季度以上所致。行业人士表示，在产能紧缺下目前DRAM以及绑定英伟达新款AI芯片的HBM存储系统售价更高。在此带动下，从今年
关键字：HBM 存储 先进封装
TrendForce集邦咨询针对403震后各半导体厂动态更新，由于本次地震大多晶圆代工厂都位属在震度四级的区域，加上台湾地区的半导体工厂多以高规格兴建，内部的减震措施都是世界顶尖水平，多半可以减震1至2级。以本次的震度来看，几乎都是停机检查后，迅速复工进行，纵使有因为紧急停机或地震损坏炉管，导致在线晶圆破片或是毁损报废，但由于目前成熟制程厂区产能利用率平均皆在50~80%，故损失大多可以在复工后迅速将产能补齐，产能损耗算是影响轻微。DRAM方面，以位于新北的南亚科（Nanya）Fab3A，以及美光（Mic
关键字：TrendForce 集邦咨询 晶圆代工 内存
三星组建了由DRAM产品与技术负责人Hwang Sang-joon领导HBM内存产能与质量提升团队。据外媒报道，近日，三星电子DS部门负责人庆桂显表示，三星内部正采取双轨AI半导体策略，同步提高在AI用存储芯片和AI算力芯片领域的竞争力。三星组建了由DRAM产品与技术负责人Hwang Sang-joon领导HBM内存产能与质量提升团队。此外，庆桂显称客户对于AI推理芯片Mach-1的兴趣正在增长，并有部分客户表达了将Mach系列芯片应用于超1000B参数大模型推理的期望，因此三星电子将加速下代Mach-2
关键字：HBM AI推理芯片
4 月 1 日消息，三星电子 DS 部门负责人庆桂显近日在社交媒体上表示三星内部正采取双轨 AI 半导体策略，同步提高在 AI 用存储芯片和 AI 算力芯片领域的竞争力。在 AI 用存储芯片部分，三星组建了由 DRAM 产品与技术负责人 Hwang Sang-joon 领导 HBM 内存产能与质量提升团队，这是其今年建立的第二个 HBM 专门团队。三星近期在 HBM 内存上进行了大规模的人才投入，旨在赢回因策略失误而被 SK 海力士拿下的 HBM 内存市场领军地位：2019 年，三星因对未来市场的错误预测
关键字：三星 HBM AI Mach-2
HBM 即高带宽内存，是一款新型的 CPU/GPU 内存芯片。如果说传统的 DDR 就是采用的"平房设计"方式，那么 HBM 则是采用"楼房设计"方式。目前，HBM 产品以 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发。可以看到，HBM 每一次更新迭代都会伴随着处理速度的提高。HBM3 自 2022 年 1 月诞生，便凭借其独特的 2.5D/3D 内存架构，迅速成为高性能计算领域的翘楚。HBM3 不仅
关键字：HBM
美光目前在高带宽内存市场上处于劣势，但看起来情况正在迅速变化，因为该公司表示其 HBM3E 内存供应已售罄，并分配到 2025 年的大部分时间。目前，美光表示其HBM3E将出现在英伟达的H200 GPU中，用于人工智能和高性能计算，因此美光似乎准备抢占相当大的HBM市场份额。图片来源：美光“我们的 HBM 在 2024 日历上已经售罄，我们 2025 年的绝大部分供应已经分配完毕，”美光首席执行官 Sanjay Mehrotra 在本周为公司财报电话会议准备的讲话中表示。“我们继续预计 HBM
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3 月 20 日消息，本周二在美国加州圣何塞举办的媒体吹风会上，英伟达首席执行官黄仁勋表示：“HBM 内存不仅生产难度高，而且成本非常高，我们在 HBM 上可谓是一掷千金”。黄仁勋将 HBM 称为“技术奇迹”（technological miracle），相比较传统 DRAM，不仅可以提高数据中心的性能，功耗方面明显更低。在本次吹风会之前，网络上有不少消息称英伟达会从三星采购 HBM3 或 HBM3E 等内存，而在本次吹风会上，黄仁勋正面表示：“三星是一家非常非常优秀的公司”（Samsung is a v
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3 月 20 日消息，三星电子 DS（设备解决方案）部门负责人庆桂显（Kye Hyun Kyung）在今日的三星电子股东大会上宣布，三星电子计划今年底明年初推出采用 LPDDR 内存的 AI 芯片 Mach-1。庆桂显表示，Mach-1 芯片已完成基于 FPGA 的技术验证，正处于 SoC 设计阶段。该 AI 芯片将于今年底完成制造过程，明年初推出基于其的 AI 系统。韩媒 Sedaily 报道指，Mach-1 芯片基于非传统结构，可将片外内存与计算芯片间的瓶颈降低至现有 AI 芯片的 1/8。此外，该芯
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近日，存储大厂美光科技在GTC 2024活动，展示一系列存储解决方案。该公司此前刚宣布8层堆叠HBM3E已量产，并预计2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出货。美光展示的解决方案，分别包括8层堆叠24GB HBM3E解决方案与后续12层36GB HBM3E解决方案；使用单片晶粒具低延迟与低功耗优势的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存储解决方案与LPCAMM2模组；可提供AI与存储器工作负载所需的容量、频宽、弹性的CXL存储器模组，并携手MemVerg
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迈过2023年的经济逆风行业下行周期，2024年存储市场起势，存储芯片价格上涨。为了适配近两年人工智能热浪需求，存储新技术革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技术在2024年迎来放量周期；HBM加速迈进，HBM3/HBM3e持续突破，有望带动存储市场迸发新的活力。一2024是DRAM技术迸发活力的一年从1998年三星生产出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延续，再到今年跃升主流的DDR5，和即将到来的DDR6、DDR7，DRAM技术还在持续突破。按照不
关键字：存储 DDR HBM
迈过2023年的经济逆风行业下行周期，2024年存储市场起势，存储芯片价格上涨。为了适配近两年人工智能热浪需求，存储新技术革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技术在2024年迎来放量周期；HBM加速迈进，HBM3/HBM3e持续突破，有望带动存储市场迸发新的活力。一2024是DRAM技术迸发活力的一年从1998年三星生产出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延续，再到今年跃升主流的DDR5，和即将到来的DDR6、DDR7，DRAM技术还在持续突破。按照不同的
关键字：DDR GDDR6 HBM
IT之家 3 月 14 日消息，据韩媒 NEWSIS 报道，三星电子否认了近日路透社的说法，表示并未考虑使用 MR-RUF 方式生产 HBM 内存。HBM 由多层 DRAM 堆叠而成，目前连接各层 DRAM 的键合工艺主要有两个流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通过回流焊一次性粘合，然后同时用模塑料填充间隙；而 TC-NCF 中文称热压非导电薄膜，是一种在各 DRAM 层间填充非导电薄膜（NCF）的热压键合方式。随着 HBM
关键字：三星 MR-RUF DRAM HBM
服务器作为网络的节点，存储、处理网络上80％的数据、信息，被称为互联网的灵魂。它不仅是一个简单的机器，更像是一个精密的工程，由多个关键组件相互配合，以实现高效的数据处理和存储。01 什么是服务器服务器是在网络中为其他客户机提供服务的高性能计算机：具有高速的CPU运算能力，能够长时间的可靠运行，有强大的I/O外部数据吞吐能力以及更好的扩展性。服务器的内部结构与普通计算机内部结构类似（CPU、硬盘、内存、系统总线等）。服务器Server：间接服务于多人；个人计算机PC：直接服务于个人。02 服务器的
关键字：服务器 CPU 内存 硬盘
SK海力士负责封装开发的李康旭副社长认为，半导体行业前50年都在专注芯片本身的设计和制造，但是，下一个 50 年，一切将围绕芯片封装展开。据彭博社报道，SK海力士（SK Hynix）今年将在韩国投资超过10亿美元，用于扩大和改进其芯片制造的最后步骤，即先进封装。前三星电子工程师、现任 SK Hynix 封装开发主管的李康旭表示，推进封装工艺创新是提高HBM性能、降低功耗的关键所在，也是SK海力士巩固HBM市场领先地位的必由之路。高度聚焦先进封装SK海力士HBM不断扩产SK海力士在最近的财报中表示，
关键字：存储 HBM 先进封装
近期，存储厂商南亚科总经理李培瑛对外表示，HBM目前产品溢价较高，确实会对存储器厂商营收有所贡献，但其占全球DRAM位元数仅约2%。因此，以当前南亚科在DRAM市场的市占率而言，现阶段不适合公司投入大量资源争夺HBM市场。存储市场正掀起AI狂欢热潮，HBM技术也从幕后走向台前，并成为推动存储器产业发展的强劲动能。不过，HBM技术含量高、在DRAM占比小，因此决定了该技术是属于三星、SK海力士、美光等大厂的“游戏”，而非全部存储厂商的“狂欢”。如今，存储大厂的HBM战局已然打响，并瞄准了最新的HBM3E技术
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